紫外光刻機(jī)可廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生產(chǎn)。它方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化鎵和磷化銦。而且該設(shè)備可通過選配升級套件，實現(xiàn)紫外納米壓印光刻。它具有以下亮點(diǎn)：高分辨率掩模對準(zhǔn)光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米、裝配SUSS的單視場顯微鏡或分視場顯微鏡，實現(xiàn)快速準(zhǔn)確對準(zhǔn)、針對厚膠工藝進(jìn)行優(yōu)化的高分辨光學(xué)系統(tǒng)、可選配通用光學(xué)器件，在不同波長間進(jìn)行快速切換等。
隨著電子業(yè)的飛速發(fā)展,對作為電子元器件基礎(chǔ)的印制板的需求量及其加工精度的要求越來越高。紫外線光刻機(jī)是印制板制造工藝中的重要設(shè)備。傳統(tǒng)光刻機(jī)的玻璃-邁拉曬架在生產(chǎn)過程中需要人工趕氣,邁拉膜需要經(jīng)常更換。由于冷卻系統(tǒng)過于臃腫,使得其生產(chǎn)成本高、效率低,已不能滿足PC B 生產(chǎn)的需要。在實驗基礎(chǔ)上設(shè)計了雙玻璃曬架光刻機(jī)，改進(jìn)了其主要組成部分,包括曬架系統(tǒng)、光路系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)以及電氣和控制系統(tǒng)的整體設(shè)計。
在計算機(jī)的控制下，利用聚焦電子束對有機(jī)聚合物（通常稱為電子抗蝕劑或光刻膠）進(jìn)行曝光，受電子束輻照后的光刻膠，其物理化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，在一定的溶劑中形成良溶或非良溶區(qū)域，從而在抗蝕劑上形成精細(xì)圖形。
對光源系統(tǒng)的要求
a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL。波長越短，可曝光的特征尺寸就越?。籟波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現(xiàn)象會更嚴(yán)重。
b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經(jīng)過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準(zhǔn)分子激光。例如KrF 準(zhǔn)分子激光（248 nm）、ArF 準(zhǔn)分子激光（193 nm）和F2準(zhǔn)分子激光（157 nm）等。
曝光系統(tǒng)的功能主要有：平滑衍射效應(yīng)、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強(qiáng)光照明和光強(qiáng)調(diào)節(jié)等。
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